通过无电容 IGZO-DRAM 技术颠覆 DRAM 发展路线图

摘要： 传统的DRAM技术，其存储单元由一个硅晶体管和一个电容器组成，面临着主要的缩小挑战。一种新的无电容器DRAM存储单元，使用两个薄膜晶体管（每个晶体管都有一个如氧化铟镓锌（IGZO）的氧化物半导体通道），显示出继续推进DRAM技术路线图的前景，为高密度3D DRAM和嵌入式DRAM的制造铺平了道路。

讨论： 上述内容主要讨论了IMEC在可靠性评估、理解和建模方面的进展，以及如何通过这些技术构建具有五年寿命的IGZO晶体管。讨论中提到了DRAM技术的现状，包括成本、速度和容量，以及3D DRAM的可能性。此外，还涉及了将存储和计算结合在一起的新思路，以及使用双晶体管作为触发器来提高存储器的效率。一些用户对五年寿命的DRAM表示担忧，并提出了关于刷新时间和成本效益的问题。

原文标题：Disrupting the DRAM roadmap with capacitor-less IGZO-DRAM technology
原文链接：https://www.imec-int.com/en/articles/disrupting-dram-roadmap-capacitor-less-igzo-dram-technology
讨论链接：https://news.ycombinator.com/item?id=45182418